台积电官方正式宣布启动2nm工艺研发

　　7nm工艺还没有全面普及，现在，台积电又官方宣布，正式启动2nm工艺的研发，工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。下面让我们一起来看看吧!

　　台积电官方正式宣布启动2nm工艺研发

　　这几年，虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓，但是在半导体工艺上，几大巨头却是杀得兴起。Intel终于进入10nm工艺时代并将在后年转入7nm，台积电、三星则纷纷完成了7nm工艺的布局并奔向5nm、3nm。

　　按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23%。

　　台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。

　　当然，在那之前，台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

　　其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产;6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产;5nm全面导入极紫外光刻，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。

台积电官方正式宣布启动2nm工艺研发（图片来源：摄图网）

　　台积电

　　台积电是目前世界上最大的独立半导体代工制造商。台积电与世界上一些最大的芯片设计商合作，如Nvidia，AMD，高通，苹果，华为和联发科。截至2019年1月，台积电凭借其7nm制造工艺引领新一代的高端技术竞争，该工艺已经开始批量生产，iPhone XS和华为Mate 20 Pro等顶级手机品牌都采用了这一技术。

　　12nm/16nm

　　与20nm工艺相比，台积电16nm的速度提高近50%，功耗降低60%，其密度为28.2 MTr/mm2。

　　台积电的12nm技术或多或少是一种营销噱头，类似于他们的16nm节点。这个12nm节点只是它们重新命名的16nm工艺，具有更好的栅极密度和较少的优化。12nm工艺的估计密度约为33.8 MTr/mm?。台积电的12nm和16nm工艺为麒麟、联发科处理器和Nvidia的GeForce 10系列等提供代工服务。

　　主要用于：Nvidia图灵GPU(GeForce 20系列)，麒麟960，麒麟659，麒麟710，Helio P60，Helio P70，Apple A10 Fusion处理器。

　　10nm

　　台积电的10nm节点工艺的密度为60.3 MTr/mm?，是自身12nm/16nm节点密度的2倍多，速度提高了15%，功耗降低了35%。

　　目前该技术主要用于：Apple A11 Bionic，Kirin 970，Helio X3。

　　7nm

　　首先，让我们看看最近一年来炒作最火热的台积电7nm工艺。TSMC的7nm工艺实际上有多种变体，7nm FF/FF+(FinFET和FinFET+)的晶体管密度约为96.49 MTr/mm?，7nm HPC的晶体管密度为66.7 MTr/mm?。

　　7nm FinFET工艺是TSMC自身10nm工艺密度的1.6倍。此外，与10nm技术相比，7nm工艺可使性能提高20%，功耗降低40%。

　　目前该技术主要用于：A12 Bionic(iPhone XS Max)，Snapdragon 855，Kirin 980，Zen 2(Ryzen 3000 Series)。

　　以上就是关于台积电官方正式宣布启动2nm工艺研发的相关信息，希望能帮助到您。

　　推荐阅读：

　　苹果A13芯片或仍由台积电代工

　　三星第三代10nm级内存芯片就位 突破制程极限