三星第三代10nm级内存芯片就位 突破制程极限

　　虽然三星在本周三表示，由于全球经济增长缓慢以及数据中心和消费市场对内存产品的需求不再强烈，内存芯片业务的增长会极其困难，但三星依旧没有停下探索内存芯片制造工艺的步伐。3月20日，三星电子宣布已开发出了第三代10nm级(1z-nm)的8GB DDR4 DRAM芯片，在业界内首次达到了这个成绩。一起来看看。

　　此时距离三星大规模生产第二代10nm级(1y-nm)8GB DDR4 DRAM芯片仅仅过去了16个月，可见三星在芯片研发上的效率。根据三星给出的信息，第三代DDR4 DRAM也就是1z-nm级，相比此前的1y-nm在生产效率上有了20%的提升，更容易满足市场对内存芯片的需求。并且工艺的进步也会带来效能的提升，同样的存储体积下，1z-nm能实现更优的耗电和执行效率。

　　三星电子预计，采用1z-nm工艺制造的第三代8GB DDR4 DRAM芯片将从2019年下半年开始大规模生产，有望适用于未来2020年生产的下一代服务器和高端PC产品。当前的内存芯片规格除了PC上主流的DDR4之外，还有DDR5、LPDDR5和GDDR6等等。三星认为在DDR4上成功使用的1z-nm工艺，为拓展到其他规格上打下了基础，今后我们有望在更多的内存产品上见到1z-nm工艺的应用。

　　在我看来，内存产品在前几年的涨价潮流之后，近几年价格又因为产能大于需求开始逐步下滑，对于消费者来说更加友好。不过在消费级领域，内存的容量已经开始有了停滞的现象，无论是应用还是硬件规格上，消费者们购买内存的热情不如以前。厂商想要在价格更高的情况下也能拥有不错的销售成绩，就得拿出有明显优越卖点的产品来刺激消费者，带来更大的内存和更加优异的速度表现，或许是不错的办法。

　　以上就是三星第三代10nm级内存芯片就位，突破制程极限的全部内容，希望对你有所帮助。

　　推荐阅读：玩游戏时内存不足怎么办 提高内存畅玩游戏

　　推荐阅读：笔记本内存条怎么装图文教程