什么是内存时序 内存时序设置详解(5)

　　Write Recovery Time(tWR)

　　可选的设置：Auto，2，3。

　　Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。

　　如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2;如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。

　　Write to Read Delay(tWTR)

　　可选的设置：Auto，1，2。

　　Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

　　tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1;如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。

　　Refresh Period(tREF)

　　可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。

　　Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。