三星率先实现10nm级DRAM芯片量产 年内上市

　　英特尔的10nm CPU虽然被延期，但三星的10nm级DRAM芯片已经可供使用了。这家韩国厂商日前宣布，他们已经先于SK海力士和镁光实现了10nm DDR4芯片的量产。

　　三星表示，他们将在今年生产SIMM模块，容量从4GB到最高128GB不等。此外，他们还称将在“近期”推出10nm移动DRAM。

　　三星在去年发布了用于固态硬盘和其他存储产品的10nm NAND闪存，但将DRAM缩小至如此的尺寸要更加困难。这是因为内存的不稳定性需要电容器伴随着晶体管存在，也就是所又有这些元件都需要进行缩小。除此之外，三星还必须“在几十纳米宽的晶体管上堆叠极窄的圆柱形电容器以存储大电荷，从而创造超过80亿个单元”。如此一来，制作难度又被提高了好几倍。

　　为了实现生产，三星改良了自己的四重图形技术(最早用于NAND闪存)，用光刻曝光来增加芯片功能的分辨率，并最终把芯片速度和能效都提高了20%(和20nm RAM相比)。虽然这种RAM将率先面向笔记本推出，但台式机用户在今年年底之前应该也能买到采用相同技术的产品。

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