三星重磅宣布：2025年量产2nm工艺

 　　6月13日消息，三星电子在加利福尼亚州圣何塞举办的2024年三星晶圆代工论坛年度博览会上宣布了一项引人注目的计划：该公司将于2025年量产2nm（纳米）工艺芯片，这一技术突破预示着半导体行业将迈入全新的发展阶段。

　　三星此次公布的2nm工艺不仅代表了半导体制造工艺的尖端水平，更体现了其在技术研发方面的深厚积累。据悉，三星的2nm工艺布局了多个节点，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A和SF2Z等，这些节点均采用了先进的技术和材料，以确保芯片在性能、功耗和集成度方面达到最优。

　　其中，SF2Z作为最先进的2nm工艺节点，计划于2027年实现量产商用。该节点采用了先进的后端供电网络（BSPDN）技术，将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，从而提高电源效率。此外，SF2Z还进一步完善了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，与基于FinFET的工艺技术相比，晶体管性能提升了11%-46%，可变性降低26%，同时漏电降低约50%。

　　除了2nm工艺外，三星还计划在2027年量产1.4nm芯片，并为此做好了充分的技术储备。该公司表示，GAA（全环绕栅极）工艺技术将在支持客户发展人工智能方面发挥重要作用。基于GAA技术演进，三星计划在今年下半年量产第二代3nm工艺（SF3），并计划在即将推出的2nm工艺上采用GAA。

　　此外，三星还宣布成立全新的“多芯片集成（MDI）联盟”，与合作伙伴公司以及内存、基板封装和测试领域的主要企业合作，共同推动芯片堆叠技术的创新。该联盟将通过形成2.5D、3D异构集成封装技术生态系统，引领下一代封装技术的发展。

　　为了进一步优化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU内核的性能和效率，三星在今年2月宣布与Arm展开合作。双方将共同开发基于最新的GAA晶体管技术的芯片产品，以满足市场对高性能、低功耗芯片的需求。这一合作将进一步加强三星在半导体领域的领导地位，并推动整个行业的发展。

　　三星此次宣布的2nm工艺量产计划以及一系列战略布局和技术合作，不仅彰显了其在半导体领域的强大实力和技术积累，也预示着半导体行业将迎来更加广阔的发展空间。随着技术的不断进步和市场的不断扩大，我们有理由相信，未来的半导体行业将更加精彩纷呈。